金剛石型結(jié)構(gòu)

金剛石結(jié)構(gòu)是一種由相同原子構(gòu)成的復(fù)式晶體，它是由兩個面心立方晶胞沿立方體的空間對角線彼此位移四分之一空間對角線長度套構(gòu)而成。每個原子周圍都有4個最近鄰的原子，組成一個正四面體結(jié)構(gòu)。

閃鋅礦型結(jié)構(gòu)

閃鋅礦型結(jié)構(gòu)的晶胞，它是由兩類原子各自組成的面心立方晶格，沿空間對角線彼此位移四分之一空間對角線長度套構(gòu)而成。

有效質(zhì)量

粒子在晶體中運(yùn)動時具有的等效質(zhì)量，它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用。有效質(zhì)量表達(dá)式為：

費(fèi)米能級

費(fèi)米能級是T=0 K時電子系統(tǒng)中電子占據(jù)態(tài)和未占據(jù)態(tài)的分界線，是T=0 K時系統(tǒng)中電子所能具有的最高能量。

準(zhǔn)費(fèi)米能級

統(tǒng)一的費(fèi)米能級是熱平衡狀態(tài)的標(biāo)志。當(dāng)外界的影響破壞了熱平衡，使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)時，就不再存在統(tǒng)一的費(fèi)米能級。但是可以認(rèn)為，分別就導(dǎo)帶和價帶中的電子講，他們各自基本上處于平衡狀態(tài)，導(dǎo)帶與價帶之間處于不平衡狀態(tài)。因為費(fèi)米能級和統(tǒng)計分布函數(shù)對導(dǎo)帶和價帶各自仍是適用的，可以引入導(dǎo)帶費(fèi)米能級和價帶費(fèi)米能級，它們都是局部的費(fèi)米能級。稱為“準(zhǔn)費(fèi)米能級”

費(fèi)米面

將自由電子的能量E等于費(fèi)米能級Ef的等能面稱為費(fèi)米面。

費(fèi)米分布

大量電子在不同能量量子態(tài)上的統(tǒng)計分布。費(fèi)米分布函數(shù)為：

施主能級

通過施主摻雜在半導(dǎo)體的禁帶中形成缺陷能級，被子施主雜質(zhì)束縛的電子能量狀態(tài)稱為施主能級。

受主能級

通過受主摻雜在半導(dǎo)體的禁帶中形成缺陷能級，被受主雜質(zhì)束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級。

禁帶

能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。

價帶

半導(dǎo)體或絕緣體中，在絕對零度下能被電子沾滿的最高能帶。

導(dǎo)帶

導(dǎo)帶是自由電子形成的能量空間，即固體結(jié)構(gòu)內(nèi)自由運(yùn)動的電子所具有的能量范圍。

N型半導(dǎo)體

在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體

在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半導(dǎo)體。

簡并半導(dǎo)體

對于重?fù)诫s半導(dǎo)體，費(fèi)米能級接近或進(jìn)入導(dǎo)帶或價帶，導(dǎo)帶/價帶中的載流子濃度很高，泡利不相容原理起作用，電子和空穴分布不再滿足玻耳茲曼分布，需要采用費(fèi)米分布函數(shù)描述。稱此類半導(dǎo)體為簡并半導(dǎo)體。

非簡并半導(dǎo)體

摻雜濃度較低，其費(fèi)米能級EF在禁帶中的半導(dǎo)體 ; 半導(dǎo)體中載流子分布可由經(jīng)典的玻爾茲曼分布代替費(fèi)米分布描述時，稱之為非簡并半導(dǎo)體

施主雜質(zhì)

V族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠施放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)或n型雜質(zhì)。

受主雜質(zhì)

Ⅲ族雜質(zhì)在硅、鍺中能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，并形成負(fù)點(diǎn)中心，所以稱它們?yōu)槭苤麟s質(zhì)或p型雜質(zhì)。

替位式雜質(zhì)

雜質(zhì)原子取代晶格原子而位于晶格點(diǎn)處。

間隙式雜質(zhì)

雜質(zhì)原子位于晶格原子的間隙位置。

等電子雜質(zhì)

當(dāng)雜質(zhì)的價電子數(shù)等于其所替代的主晶格原子的價電子數(shù)時，這種雜質(zhì)稱為等電子雜質(zhì)

空穴

定義價帶中空著的狀態(tài)看成是帶正電荷的粒子，稱為空穴

意義 a 把價帶中大量電子對電流的貢獻(xiàn)僅用少量的空穴表達(dá)出來 b金屬中僅有電子一種載流子，而半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子，正是這兩種載流子的相互作用，使得半導(dǎo)體表現(xiàn)出許多奇異的特性，可用來制造形形色色的器件

理想半導(dǎo)體（理想與非理想的區(qū)別）

a 原子并不是靜止在具有嚴(yán)格周期性的晶格的格點(diǎn)位置上，而是在其平衡位置附近振動

b 半導(dǎo)體材料并不是純凈的，而是含有各種雜質(zhì) 即在晶格格點(diǎn)位置上存在著與組成半導(dǎo)體材料的元素不同其他化學(xué)元素的原子

c 實際的半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)并不是完整無缺的，而存在著各種形式的缺陷

雜質(zhì)補(bǔ)償

在半導(dǎo)體中，施主和受主雜質(zhì)之間有相互抵消的作用通常稱為雜質(zhì)的補(bǔ)償作用

深能級雜質(zhì)

非Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)在硅、鍺的禁帶中產(chǎn)生的施主能級距離導(dǎo)帶較遠(yuǎn)，他們產(chǎn)生的受主能級距離價帶也較遠(yuǎn)，通常稱這種能級為深能級，相應(yīng)的雜質(zhì)為深能級雜質(zhì)

淺能級雜質(zhì)

在半導(dǎo)體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質(zhì)原子，往往就是能夠提供載流子（電子或空穴）的施主、受主雜質(zhì)，它們在半導(dǎo)體中形成的能級都比較靠近價帶頂或?qū)У祝虼朔Q其為淺能級雜質(zhì)。

遷移率

單位電場作用下，載流子獲得的平均定向運(yùn)動速度，反映了載流子在電場作用下的輸運(yùn)能力，是半導(dǎo)體物理中重要的概念和參數(shù)之一。遷移率的表達(dá)式為：μ=qτ/m* 。可見，有效質(zhì)量和弛豫時間（散射）是影響遷移率的因素。

空穴的牽引長度

表征空穴漂移運(yùn)動的有效范圍的參量就是空穴的牽引長度

點(diǎn)缺陷

是最簡單的晶體缺陷，它是在 結(jié)點(diǎn)上 或 鄰近的微觀區(qū)域內(nèi) 偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列 的一種缺陷。包括：間隙原子和空位是成對出現(xiàn)的弗倉克耳缺陷 和只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子的肖特基缺陷。

弗侖克耳缺陷

間隙原子和空穴成對出現(xiàn)導(dǎo)致的缺陷。

肖特基缺陷

只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子時的缺陷。

空穴

在電子掙脫價鍵的束縛成為自由電子，其價鍵中所留下來的空位。

空位

在一定條件下，晶格原子不僅在其平衡位置附近振動，而且有一部分原子會獲得足夠的能量，脫離周圍原子對他的束縛，擠入晶格原子間隙間成為間隙原子，原來的位置便成為空位

本征載流子

就是本征半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴），即不是由摻雜所產(chǎn)生出來的。

非平衡載流子

半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時，比平衡態(tài)時多出來的那一部分載流子稱為非平衡載流子。Δp=Δn

熱載流子

熱載流子：在強(qiáng)電場情況下，載流子從電場中獲得的能量很多，載流子的平均能量比熱平衡狀態(tài)時的大，因而載流子與晶格系統(tǒng)不再處于熱平衡狀態(tài)。溫度是平均動能的量度，既然載流子的能量大于晶格系統(tǒng)的能量，人們便引入載流子的有效溫度Te來描寫這種與晶格系統(tǒng)不處于熱平衡狀態(tài)時的載流子，并稱這種狀態(tài)載流子為熱載流子

束縛激子

等電子陷阱俘獲載流子后成為帶電中心，這一中心由于庫侖作用又能俘獲另一種帶電符號相反的載流子從而成為定域激子，稱為束縛激子。

漂移運(yùn)動

在外加電壓時，導(dǎo)體或半導(dǎo)體內(nèi)的載流子受電場力的作用，做定向運(yùn)動。

擴(kuò)散運(yùn)動

當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)部的載流子存在濃度梯度時，引起載流子由濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散，擴(kuò)散運(yùn)動是載流子的有規(guī)則運(yùn)動。

狀態(tài)密度

就是在能帶中能量E附近每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)。

直接復(fù)合

導(dǎo)帶中的電子越過禁帶直接躍遷到價帶，與價帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過程稱為直接復(fù)合

間接復(fù)合

導(dǎo)帶中的電子通過禁帶的復(fù)合中心能級與價帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過程稱為間接復(fù)合。

俄歇復(fù)合

載流子從高能級向低能級躍遷發(fā)生電子-空穴復(fù)合時，把多余的能量傳給另一個載流子，使這個載流子被激發(fā)到能量更高的能級上去，當(dāng)它重新躍遷回到低能級時，多余的能量常以聲子的形式放出，這種復(fù)合稱為俄歇復(fù)合，顯然這是一種非輻射復(fù)合。

陷阱中心

半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷在禁帶中形成一定的能級，這些能級具有收容部分非平衡載流子的作用，雜質(zhì)能級的這種積累非平衡載流子的作用稱為陷阱效應(yīng)。把產(chǎn)生顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)和缺陷稱為陷阱中心。

復(fù)合中心

半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷可以在禁帶中形成一定的能級，對非平衡載流子的壽命有很大影響。雜質(zhì)和缺陷越多，壽命越短，雜質(zhì)和缺陷有促進(jìn)復(fù)合的作用，把促進(jìn)復(fù)合的雜質(zhì)和缺陷稱為復(fù)合中心。

等電子復(fù)合中心

在Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中摻入一定量的與主原子等價的某種雜質(zhì)原子，取代格點(diǎn)上的原子。由于雜質(zhì)原子和主原子之間電負(fù)性的差別，中性雜質(zhì)原子可以束縛電子或空穴而成為帶電中心，帶電中心會吸引和被束縛載流子符號相反的載流子，形成一個激子束縛態(tài)。

愛因斯坦關(guān)系

對電子Dn/μn =k0T/q 對空穴Dp/μp =k0T/q它表明非簡并情況下載流子的遷移率和擴(kuò)散系數(shù)之間的關(guān)系。

陷阱效應(yīng)

雜質(zhì)能級積累非平衡載流子的作用就稱為陷阱效應(yīng)。

回旋共振

一些物質(zhì)如半導(dǎo)體中的載流子在一定的恒定磁場和高頻磁場同時作用下會發(fā)生抗磁共振。

砷化鎵負(fù)阻效應(yīng)

當(dāng)電場達(dá)到一定値時，能谷1中的電子可從電場中獲得足夠的能量而開始轉(zhuǎn)移到能谷2，發(fā)生能谷間的散射，電子的動量有較大的改變，伴隨吸收或發(fā)射一個聲子。但是，這兩個能谷不是完全相同的，進(jìn)入能谷2的電子，有效質(zhì)量大為增加，遷移率大大降低，平均漂移速度減小，電導(dǎo)率下降，產(chǎn)生負(fù)阻效應(yīng)

耿氏效應(yīng)

在半導(dǎo)體本體內(nèi)產(chǎn)生高頻電流的現(xiàn)象稱為耿氏效應(yīng)

擴(kuò)散長度

擴(kuò)散長度是表征載流子擴(kuò)散有效范圍的一個物理量，它等于擴(kuò)散系數(shù)乘以壽命的平方根。

勢壘電容

在外加正向偏壓增加時，將有一部分電子和空穴“存入”勢壘區(qū)，反之，當(dāng)正向偏壓減小時，勢壘區(qū)的電場增強(qiáng)，勢壘區(qū)寬度增加，空間電荷數(shù)量增多，這就是有一部分電子和空穴從勢壘區(qū)“取出”。對于加反向偏壓的情況類似?？傊?，pn結(jié)上外加電壓的變化，引起了電子和空穴在勢壘區(qū)的“存入”和“取出”作用，導(dǎo)致勢壘區(qū)的空間電荷數(shù)量隨外加電壓而變化，這和一個電容器的充放電作用相似，這種pn結(jié)的電容效應(yīng)稱為勢壘電容

擴(kuò)散電容

正向偏壓時，有空穴從p區(qū)注入n區(qū)，于是在勢壘區(qū)與n區(qū)邊界n區(qū)一側(cè)一個擴(kuò)散長度內(nèi)，便形成了非平衡空穴和電子的積累，同樣在p區(qū)也有非平衡電子和空穴的積累。當(dāng)正向偏壓增加時，由p區(qū)注入到n區(qū)的空穴增加，注入的空穴一部分?jǐn)U散走了。所以外加電壓變化時，n區(qū)擴(kuò)散區(qū)內(nèi)積累的非平衡空穴也增加，與它保持電中性的電子也相應(yīng)增加。同樣，p區(qū)擴(kuò)散區(qū)內(nèi)積累的非平衡電子和與它保持電中性的空穴也要增加。這種由于擴(kuò)散區(qū)的電荷數(shù)量隨外加電壓的變化所產(chǎn)生的電容效應(yīng)，稱為pn結(jié)的擴(kuò)散電容

pn結(jié)隧道效應(yīng)

在簡并化的重?fù)诫s半導(dǎo)體中，n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級進(jìn)入了導(dǎo)帶，p型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級進(jìn)入了價帶。在重?fù)诫s情況下，雜質(zhì)濃度大，勢壘區(qū)很薄，由于量子力學(xué)的隧道效應(yīng)，n區(qū)導(dǎo)帶的電子可能穿過禁帶到p區(qū)價帶，p區(qū)價帶電子也可能穿過禁帶到n區(qū)導(dǎo)帶，從而有可能產(chǎn)生隧道電流。

耗盡層近似

當(dāng)勢壘高度遠(yuǎn)大于koT時，勢壘區(qū)可近似為一個耗盡層。在耗盡層中，載流子極為稀少，他們對空間電荷的貢獻(xiàn)可以忽略；雜質(zhì)全部電離，空間電荷完全由電離雜質(zhì)的電荷形成。

肖特基勢壘二極管

利用金屬-半導(dǎo)體整流接觸效應(yīng)特性制成的二極管稱為肖特基勢壘二極管，它和pn結(jié)二極管具有類似的電流-電壓關(guān)系，即它們都有單向?qū)щ娦?，但前者又又區(qū)別于后者的以下顯著特點(diǎn) a 就載流子的運(yùn)動形式而言，pn結(jié)正向?qū)〞r，由p區(qū)注入n區(qū)的空穴或由n區(qū)注入p區(qū)的電子，都是少數(shù)載流子，他們先形成一定的積累，然后靠擴(kuò)散運(yùn)動形成電流。這種注入的非平衡載流子的積累稱為電荷貯存效應(yīng)，它嚴(yán)重地影響了pn結(jié)的高頻性能。而肖特基勢壘二極管的正向電流，主要是由半導(dǎo)體的多數(shù)載流子進(jìn)入金屬形成的。它是多數(shù)載流子器件。因此，肖特基勢壘二極管比pn結(jié)二極管有更好的高頻特性 b 對于相同的高度，肖特基勢壘二極管的Jsd或Jst要比pn結(jié)的反向飽和電流Js大得多。

歐姆接觸

金屬與半導(dǎo)體接觸時還可以形成非整流接觸，即歐姆接觸，它不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，而且不會使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的改變（半導(dǎo)體重?fù)诫s時，它與金屬的接觸可以形成接近理想的歐姆接觸

理想MIS結(jié)構(gòu)

a 金屬與半導(dǎo)體間功函數(shù)差為零

b 在絕緣層中沒有任何電荷且絕緣層完全不導(dǎo)電

c 絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在任何界面態(tài)

深耗盡狀態(tài)

在金屬和半導(dǎo)體之間加一脈沖階躍或高頻正弦波形成的正電壓時，由于空間電荷層內(nèi)的少數(shù)載流子的產(chǎn)生速率跟不上電壓的變化，反型層來不及建立，只有靠耗盡層延伸向半導(dǎo)體深處而產(chǎn)生大量受主負(fù)電荷以滿足電中性條件。因此，這種情況時，耗盡層的寬度很大，可遠(yuǎn)大于強(qiáng)反型的最大耗盡層寬度，且其寬度隨電壓幅度的增大而增大，這種狀態(tài)稱為深耗盡狀態(tài)

Si-SiO2系統(tǒng)各種電荷

a 二氧化硅層中的可動離子。主要是帶正電的鈉離子，還有鉀、氫等正離子

b 二氧化硅層中的固定電荷

c 二氧化硅層中的電離陷阱電荷。是由于各種輻射如X射線、γ射線、電子射線等引起

異質(zhì)結(jié)

有兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料可超過組成的結(jié)，則稱為異質(zhì)結(jié)

異質(zhì)結(jié)的特點(diǎn)

a 能帶發(fā)生了彎曲，出現(xiàn)“尖峰”和“凹口”

b 能帶在交界面處不連續(xù)，有一個突變

異質(zhì)pn結(jié)的超注入現(xiàn)象

指在異質(zhì)pn結(jié)中有寬禁帶半導(dǎo)體注入到窄禁帶半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子濃度寬帶半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度

間接帶隙半導(dǎo)體

導(dǎo)帶極小值和價帶極大值沒有對應(yīng)于相同的波矢，例如像鍺、硅一類半導(dǎo)體，價帶頂位于K空間原點(diǎn)，而導(dǎo)帶低則不在k空間原點(diǎn)，這種半導(dǎo)體稱為間接帶隙半導(dǎo)體

非豎直（直接）躍遷

在非豎直（直接）躍遷中，電子不僅吸收光子，同時還和晶格交換一定的振動能量，即吸收或放出一個聲子

光電探測器件工作原理及用途

有光照引起半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加的現(xiàn)象稱為光電導(dǎo)。大量實驗證明，半導(dǎo)體光電導(dǎo)的強(qiáng)弱與照射波長有密切的關(guān)系，所謂光電導(dǎo)的光譜分析，就是指對應(yīng)于不同的波長，光電導(dǎo)響應(yīng)靈敏度的變化關(guān)系。因此，可以通過測量光電導(dǎo)的光譜分布來確定半導(dǎo)體材料光電導(dǎo)特性，根據(jù)這一原理可制成光電探測器。用途：PbS、PbSe和PbTe是重要的紅外探測器材料，CdS除了對可見光有響應(yīng)外，還可有效地用于短波方面，知道x光短波

半導(dǎo)體太陽電池的基本原理

當(dāng)用適當(dāng)波長的光照射非均勻半導(dǎo)體（pn結(jié)等）時，由于內(nèi)建電場的作用（不加外電場），半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢（光生電壓），如將pn結(jié)短路，則出現(xiàn)電流。這種由內(nèi)建電場引起的光電效應(yīng)，稱為光生伏特效應(yīng)。根據(jù)這一原理可制成太陽能電池，將太陽輻射能直接轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?/p>

光電池（光電二極管）的基本原理

當(dāng)用適當(dāng)波長的光照射pn結(jié)時，由于pn結(jié)勢壘區(qū)內(nèi)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場，結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子受該場的作用，各自向相反的方向運(yùn)動，pn結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動勢，如將pn結(jié)與外電路接通，只要光照不停止，就會有淵源不斷的電流過電路，pn結(jié)起到了電源的作用

半導(dǎo)體發(fā)光器件的基本原理

半導(dǎo)體的電子可以吸收一定能量的光子而被激發(fā)。同樣，處于激發(fā)態(tài)的電子也可以向較低的能級躍遷，以光輻射的形式釋放出能量，也就是電子從高能級向低能級躍遷，伴隨著發(fā)射光子，這就是半導(dǎo)體的發(fā)光現(xiàn)象。（產(chǎn)生光子發(fā)射的主要條件是系統(tǒng)必須處于非平衡狀態(tài)，即在半導(dǎo)體內(nèi)需要有某種激發(fā)過程存在，通過與非平衡載流子的復(fù)合，才能形成發(fā)光

半導(dǎo)體激光器件的基本原理

處在激發(fā)態(tài)E2的原子數(shù)大于處在激發(fā)態(tài)E1的原子數(shù)，則在光子流hν12照射下，受激輻射將超過吸收過程。這樣由系統(tǒng)發(fā)射的能量為hν12將大于進(jìn)入系統(tǒng)的同樣能量的光子數(shù)，這鐘現(xiàn)象稱為光量子放大。通常把處于激發(fā)態(tài)E2（高能級）的原子數(shù)大于處在激發(fā)態(tài)E1（低能級）的原子數(shù)的這種反常情況，稱為“分布反轉(zhuǎn)”或“粒子數(shù)反轉(zhuǎn)”。激光的發(fā)射，必須滿足 a 形成分布反轉(zhuǎn)，使受激輻射占優(yōu)勢 b 具有共振腔，以實現(xiàn)光量子放大 c 至少達(dá)到閾值電流密度，使增益至少等于損耗

半導(dǎo)體霍爾器件的基本原理

把通有電流的半導(dǎo)體放在均勻磁場中，設(shè)電場沿X方向，磁場方向和電場垂直，沿z方向，則在垂直于電場和磁場的+y或-y方向?qū)a(chǎn)生一個橫向電場，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。利用霍爾效應(yīng)制成的電子器件稱為霍爾器件

二維電子氣

MOS反型層中的電子被局限在很窄的勢阱中運(yùn)動，所以反型層中的電子沿垂直于界面的z方向的運(yùn)動是量子化的，形成一系列分立能級E0，E1，…，Ej…。在xy平面內(nèi)，即沿著界面方向能量仍是準(zhǔn)連續(xù)的。稱這樣的電子系統(tǒng)為二維電子氣

半導(dǎo)體壓阻器件的基本原理

對半導(dǎo)體施加應(yīng)力時，半導(dǎo)體的電阻率要發(fā)生改變，這種現(xiàn)象稱為壓阻效應(yīng)。應(yīng)用:半導(dǎo)體應(yīng)變計、壓敏二極管、壓敏晶體管等

a 利用半導(dǎo)體電阻隨應(yīng)力變化的這一現(xiàn)象可以制成半導(dǎo)體應(yīng)變計

b pn結(jié)伏安特性隨壓力變化很大，利用他的這一壓敏特性可以制成壓敏二極管和壓敏三極管

非晶態(tài)半導(dǎo)體

原子排列不具有周期性，即不具有長程有序的半導(dǎo)體稱為非晶態(tài)半導(dǎo)體

半導(dǎo)體熱電效應(yīng)應(yīng)用

溫差發(fā)電器制冷器原理P373

判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型

熱探針法

當(dāng)溫度增加時，載流子濃度和速度都增加，它們由熱端擴(kuò)散到冷端，如果載流子是空穴，則熱端缺少空穴，冷端有過?？昭?，冷端電勢較高，形成由冷端指向熱端的電場；如果載流子是電子，則熱端缺少電子，冷端有過剩電子，熱端電勢較高，形成由熱端指向冷端的電場。所以，由半導(dǎo)體的溫差電動勢的正負(fù)，可以判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型

霍爾效應(yīng)法

n型和p型半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)符號相反，也即霍爾電壓Vh的正負(fù)相反，所以，從霍爾電壓Vh的正負(fù)可以判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型