不畏半導體景氣修正，三星逆勢大擴產，鎖定先進制程晶圓代工與存儲器，急追臺積電，同時也恐打亂存儲器市場復蘇腳步，牽動南亞科、華邦等臺廠后市。

法人指出，臺積電、英特爾、SK海力士、美光、南亞科等國際半導體大廠因應市況調整，已陸續(xù)下修資本支出，三星卻逆勢操作，不僅存儲器擴產不踩剎車，晶圓代工也因基期低而大舉在韓國與美國擴產，牽動全球半導體產業(yè)發(fā)展。

彭博資訊引述首爾經濟日報報道，三星位于南韓平澤的P3廠將擴增DRAM設備，每月可生產7萬片的12吋晶圓，高于目前P3廠DRAM產線的每月2萬片產能。三星將使用新的設備生產12納米DRAM，截至第3季，三星每月的DRAM晶圓總產量為66.5萬片，以增產7萬片計算，增幅達10.5%，手筆不小。

另一方面，報道指出，三星也規(guī)劃將P3廠每月晶圓代工產量提高3萬片，并增加4納米產能，強攻先進制程。截至第3季，三星的每月晶圓代工總產量為47.6萬片，換算增幅約6.3%。因應存儲器與晶圓代工先進新產能需求，三星將新增至少10臺極紫外光設備（EUV），目前三星已有約40臺EUV，換算將增加25%。

業(yè)界認為，三星晶圓代工因產能約五成自用與約五成對外接單而呈現供不應求，其4納米制程已在本季陸續(xù)擴產到位。即便三星在先進制程產能規(guī)模仍僅約龍頭臺積電的五分之一，但三星展現強烈企圖心追趕臺積電。

韓國媒體infostockdaily報道，三星晶圓代工4納米制程先前已將良率提升至近約六成，隨客戶需求提升而決議擴充，相關投資挹注下，三星晶圓代工在4納米投資將達約5萬億韓元（約40億美元）。

存儲器方面，受智能手機、PC等需求疲軟沖擊，DRAM和儲存型快閃存儲器（NAND Flash）價格持續(xù)走跌，盡管其他原廠和臺廠都祭出減產和縮減資本支出的策略，但業(yè)界龍頭三星始終逆勢運作，雖然有助于三星本身規(guī)模擴張，但對整體存儲器市場而言并非好事，不僅會拖延庫存去化的時間，也會使得相關同業(yè)營運更具壓力。

市調機構Omdia統(tǒng)計，三星在全球DRAM市場市占率節(jié)節(jié)攀升，從2021年第4季的41.9%，今年第2季擴大到43.4%，穩(wěn)居龍頭。NANDFlash方面，三星今年第2季市占率達33.3%，排名第一。

今年以來，DRAM與NAND Flash報價跌跌不休，美光上季財報更陷入虧損，并預告本季面臨連兩季虧損壓力，南亞科也坦言，本季可能陷入虧損。存儲器業(yè)界原本預期，隨著主要制造商減產、調降資本支出，市場可望在明年中過后逐步回歸正軌，如今三星又砸錢擴產，使得產業(yè)復蘇步調出現變數。